外延电子器件取得进展

近日，微电子学院孙正宗和李巧伟课题组通过范德华外延的方法，在毫米级单晶晶畴石墨烯表面外延生长了长程有序的MOF结构（LR-epi-MOF），其具有30°的外延生长角度和2.8%的晶格错配度。研究成果发表于美国化学会志J. Am. Chem. Soc.。