开发新型的反铁电器件

近日，复旦大学微电子学院科研团队报道了一种新型反铁电铪锆氧基人工神经元/突触器件。该研究采用与CMOS工艺兼容的新兴反铁电纳米材料研制了一种新原理人工突触/神经元器件。基于对称电极配置研究了不同脉冲刺激下的积分-放电-漏电(LIF)神经元行为特性，显示出1.36 fJ/spike的低发射能耗。通过引入非对称电极形成偏置电场，极化滞回特性发生偏移，形成两个可辨别的极化/电阻状态。成功实现了包括成对脉冲促进(PPF)和长期增强/抑制(LTP/LTD)在内的突触行为，功耗低至245 aJ/spike。基于构建的人工神经网络(ANN)系统成功展示了手写数字识别能力，识别率高于90%。