为了打破冯·诺依曼瓶颈，铁电晶体管成为了下一代存储器的有利竞争者，但是钙钛矿等传统铁电材料存在与MOS器件不兼容且钙钛矿材料器件的微缩存在壁垒等严重问题。近期，铪基铁电的出现重新引起了人们对铁电材料的关注，但是铪基铁电相型较多，极大影响了铪基铁电的应用。如何提高铪基薄膜中铁电相的比例以及提高薄膜中铁电相的原因成为了现阶段急需解决的问题。
复旦大学微电子学院陈琳教授团队在铝对氧化铪薄膜铁电特性的影响及其影响薄膜铁电特性的原因方面进行了研究，成功在铝调控氧化铪铁电特性的机理方面获得原创性成果，论文发表在国际顶级期刊 Nano Letters。微电子学院教授陈琳、陈时友、博士后王天宇为共同通讯作者，李振海和魏金宸为共同第一作者。
本工作提出了铝掺杂对氧化铪薄膜铁电特性的影响及其相关机理的解释。在过去两年的工作中，团队获得多项原创性研究成果。本项工作从实验和理论相结合的角度出发，探究了掺杂变化对氧化铪薄膜铁电特性影响的原因。研究有助于推动集成电路领域中新型低功耗微纳电子器件开发与应用。
论文链接：
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c00085
