科研进展
信息技术逼近物理极限时,路在何方?量子力学给出的答案是单个电子。在室温下实现对单个电子的稳定控制与存储,长期以来被视为半导体领域的“圣杯”,但边缘电容效应与量子涨落之间的致命矛盾,使得这一愿景长期停滞于理论推演。北京时间7月17日凌晨,复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森研究团队在《科学》(Science)发表重磅成果。他们发明的“量子闪存”(Quantum Flash)技术成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构,首次在室温(27℃)环境下清晰观测到了单电子的非易失性存储行为。漏极-沟道-源极“归壹”结构这不仅彻底打破了“单电子存储”无法实现的传统认知,开创了单电子量子存储的全新理论体系,更为AI时代算力革命奠定关键理论基础。打破“不可能”,常温下实现诺奖级物理现象如果将人工智能比作一辆高速行驶的赛车,存储芯片就是它的“油箱”和“引擎”——既要在极短时间内供给算力所需数据(高速、低功耗),又必须让数据在断电后不丢失且能海量存储(大容量、非易失)。提升AI算力上限,必须突破传统存储器的速度与功耗极限。去年4月,周鹏-刘春森团队于《自然》(Nat
2026-07-17 13:2917
分享到