科研进展
复旦集成电路领域再获关键突破。复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型,在理论上预测了超注入现象,打破了现有存储速度的理论极限,研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件,其擦写速度可提升至亚1纳秒(400皮秒),相当于每秒可执行25亿次操作,是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。相关成果以《亚纳秒超注入闪存》(Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection)为题于北京时间4月16日晚间在《自然》(Nature)期刊上发表颠覆现有存储架构跑进亚纳秒级速度大关AI时代,大数据的高速存储至关重要。如何突破信息存储速度极限,一直是集成电路领域最核心的基础性问题之一,也是制约AI算力上限的关键技术瓶颈。要实现大数据的高速存储,意味着与之匹配的存储器必须是在存储速度、能耗、容量上均表现优异的“六边形战士”。然而,既有存储器的速度分级架构形如一座金字塔——位于塔上层的易失性存储器(如SRAM、DRAM)拥有纳秒级的高速存储,但其存储容量小、功耗大、
2025-04-17 10:29269
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