层状铁电半导体兼备原子级超薄与铁电性，为小尺寸逻辑和非易失性存储在存内计算技术中应用提供了理想路径。然而，由于铁电沟道场效应晶体管（FeCFETs）中存在铁电极子与电子重构耦合，无法继续沿用传统器件物理原理，使得FeCFETs中极化相关的电导调控机制变得难以精确控制。因此要实现高性能层状铁电半导体的先进逻辑和存储器件，就必须厘清铁电沟道极化与电导性物理关系这一根本问题。
针对此领域挑战难题，复旦大学周鹏/王水源团队与北京邮电大学屈贺如歌副教授合作，将态密度泛函理论计算、量子输运模拟与实验论证相结合，首次揭示了FeCFETs极化依赖的本征效应与外场优势机制。11月30日，相关成果发表于《自然-纳米技术》（Nature Nanotechnology）。
论文链接：
https://www.nature.com/articles/s41565-023-01539-4
